1747-L541

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這些測量顯示，相較于導(dǎo)通損耗，HS3 IGBT的關(guān)斷損耗對裝置效能的影響極為輕微，當(dāng)VDC300V，IC30A時(shí)，導(dǎo)通損耗非等比例的提高，可在低集極電流下得到率;較大的VDC和IC會(huì)提高導(dǎo)通損耗，與di/dt降低有所關(guān)聯(lián)。此效應(yīng)為HS3 IGBT的特性，且和裝置設(shè)計(jì)有關(guān)。要補(bǔ)償此效應(yīng)的方法之一，就是降低RG，進(jìn)而降低軟化度（Softness）。

　　使用高切換速度的裝置時(shí)，伴隨應(yīng)用而來的需求之一，就是必須降低設(shè)定中的雜散電感。因此，模組及設(shè)定兩者都必須提供低電感，以避免寄生效應(yīng)。與雜散電感緊密相關(guān)的兩個(gè)常見效應(yīng)包括集射極的過電壓峰值VPeak，以及關(guān)斷和開通期間集射極電壓下降導(dǎo)致的切換損耗降低。

　　圖3顯示在相同的切換參數(shù)，VDC=400V，di/dt=1.5kA/s和dv/dt=7.2kV/s，及VDC=300V，di/dt=1.6kA/s和dv/dt=6.0kV/s下，HS3 IGBT的切換損耗和過電壓峰值相對于設(shè)定的雜散電感。提高L時(shí)，關(guān)斷能量會(huì)稍微提高，而開通能量則會(huì)大幅降低，因此，提高L將會(huì)降低總切換能量，這個(gè)一般性趨勢與直流連結(jié)電壓無關(guān);另一方面，較高的L將使VPeak提高，因此使用的直流連結(jié)電壓將受到限制。對策之一就是提高RG以降低切換速度，但這樣卻會(huì)提高切換損耗。

　　圖3HS3 IGBT切換能量EON和EOFF及VPeak與VDC = 300和400V雜散電感的關(guān)系。上方插圖為HS3 IGBT的Etotal與雜散電感VDC = 300和400V的關(guān)系。

　　提高設(shè)定的雜散電感可降低IGBT的Etotal，因?yàn)榻档虴ON的影響遠(yuǎn)高于提高EOFF。由設(shè)定或二極體急變的諧振頻率所導(dǎo)致的振蕩等寄生效應(yīng)，將產(chǎn)生電磁干擾，這也必須在應(yīng)用中加以考量。

：歐工
               
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