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渦輪分子泵應(yīng)用于電子束蒸發(fā)鍍膜

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  Pfeiffer vacuum 普發(fā)真空
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Pfeiffer 渦輪分子泵應(yīng)用于電子束蒸發(fā)鍍膜
電子束蒸鍍是 PVD 薄膜沉積技術(shù)的一種. 與傳統(tǒng)熱阻蒸鍍方式不同, 電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以精準(zhǔn)地實現(xiàn)利用高能電子轟擊坩堝內(nèi)靶材, 使之融化進(jìn)而沉積在基片上. 電子束蒸鍍可以鍍出高純度高精度的薄膜. 電子束是一種高速的電子流. 電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法, 它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題. 電子束蒸發(fā)廣泛應(yīng)用于家電電器, 鐘表, 燈具, 工藝美術(shù)品, 玩具, 車燈反光罩, 手機(jī)按鍵外殼以及儀器儀表, 塑料, 玻璃, 陶瓷、磁磚等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層.

電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料, 電子的動能轉(zhuǎn)換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發(fā)并成膜. 電子束加熱蒸鍍的特點(diǎn)是能獲得的能量密度, 可達(dá) 109w/cm2, 加熱溫度可達(dá) 3000～6000℃, 可以蒸發(fā)難熔金屬或化合物; 被蒸發(fā)材料置于水冷的坩堝中, 可避免坩堝材料的污染, 制備高純薄膜; 另外, 由于蒸發(fā)物加熱面積小, 因而熱輻射損失減少, 熱效率高

電子束蒸發(fā)鍍膜需要高真空環(huán)境！
電子束蒸發(fā)法是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料, 使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn), 在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法. 常見于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域. 利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶, 使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰. 最終沉積到目標(biāo)上.
在蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中, 真空鍍膜室的本底真空度要求較高, 一般真空度越高, 腔室內(nèi)雜質(zhì)氣體的量越少, 鍍膜材料在沉積到基片上的過程中, 與環(huán)境中的雜質(zhì)氣體碰撞變少, 粒子的能量大, 可以在基片上形成更致密均勻的膜, 由于分子泵的無油和高真空特性, 逐漸取代了有油的擴(kuò)散泵成為的真空系統(tǒng), 上海伯東德國普發(fā) Pfeiffer 分子泵成功應(yīng)用于此.

上海伯東電子束蒸發(fā)鍍膜客戶案例一: 某大學(xué)微電子學(xué)系, 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)配置德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300, 用于生長半導(dǎo)體材料, 金屬膜, Mn 氧化物膜. 系統(tǒng)主要參數(shù)如下
1. 真空度要求: 5x10-7 mbar
2. 基片尺寸: ≤Ф12英寸
3. 電子槍功率: 5-10KW
4. 襯底溫度：350℃
7. 溫度均勻性：±10℃
7.樣平臺轉(zhuǎn)速：≤20r/min
8. 坩堝數(shù)量：4
9. 鍍膜均勻性：±5%（Al）
10. 控制系統(tǒng)：PC+PLC全自動控制

電子束蒸發(fā)真空系統(tǒng)配置

	渦輪分子泵 HiPace 2300 接口: DN 250 CF-F 極限真空: < 5X10-10 mbar 氮?dú)鈮嚎s比: > 1X1011 抽速: 1900 l/s
	全量程真空計 PKR 251 測量范圍: 5E-9至 1000 如下三種接口可選 DN25 ISO-KF DN40 ISO-KF DN40 CF-F

伯東Pfeiffer分子泵應(yīng)用于電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
Pfeiffer 渦輪分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S, 轉(zhuǎn)速 90,000 rpm, 極限真空 1E-11 mbar, 對小分子氣體具有更高的壓縮比, 實踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運(yùn)行時間可以達(dá)到 100,000 小時! 普發(fā)分子泵提供復(fù)合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應(yīng)用, 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 更多分子泵典型應(yīng)用 >>

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