Pfeiffer 渦輪分子泵應用于激光分子束外延系統(tǒng) Lazer MBE
激光分子束外延 Lazer MBE 是一種晶體生長技術(shù), 將半導體襯底放置在超高真空腔體中, 和將需要生長的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中, 由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能在襯底上生長出極薄的. 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu). 分子束外延主要研究的是不同結(jié)構(gòu)或不同材料的晶體和超晶格的生長, 該方法生長溫度低, 能嚴格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度.
分子束外延系統(tǒng)需要高真空環(huán)境!
外延系統(tǒng)中的超高真空腔體對真空度要求及其高, 對真空腔體的密封性, 材料放氣率, 微量雜質(zhì)氣體和水蒸氣比較敏感,德國 Pfeiffer 分子泵可提供穩(wěn)定的真空環(huán)境, 對晶格的生長起到良好的作用
上海伯東激光分子束外延 Lazer MBE 客戶案例一: 某真空設備商采購 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 400, HiPace 80 用于激光分子束外延系統(tǒng), 系統(tǒng)功能
1. 主要針對金屬薄膜及材料器件的氧化物外延生長
2. 超高真空生長室, 直徑 12英寸.
3. 額定基壓：<1x10-6 Torr
4. 配有12個加熱泄流源.
5. 襯底加熱器加熱溫度 950℃
6. 可放置 6個1"的靶及 3個2"的靶
7. 質(zhì)量流量計控制進入真空腔的流量, 量程 100sccm.
8. 線型進樣室實現(xiàn)全自動送片
分子束外延超高真空系統(tǒng)配置
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| 渦輪分子泵 HiPace 400 |
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| 渦輪分子泵 HiPace 80 |
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| 隔膜泵 MVP 020 |
Pfeiffer 渦輪分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S, 轉(zhuǎn)速 90,000 rpm, 極限真空 1E-11 mbar, 對小分子氣體具有更高的壓縮比, 實踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運行時間可以達到 100,000 小時! 普發(fā)分子泵提供復合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應用, 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 更多分子泵典型應用 >>
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